Intel-Ansiedlung

Landesverwaltungsamt erteilt erste Teilgenehmigung

Das Landesverwaltungsamt hat für die Errichtung der Intel-Halbleiterfabrik die erste Teilgenehmigung erteilt. Mit dieser ersten Teilgenehmigung, deren Rechtsgrundlage im § 8 des Bundes-Immissionsschutzgesetzes festgeschrieben ist, werden die Errichtung aller beantragten Haupt- und Nebengebäude der Halbleiterfabrik genehmigt.

Im Speziellen handelt es sich hierbei um:

• Fabrikgebäude Fab29.1 und Fab29.2 inkl. zugehöriger Nebengebäude
• Gebäude für Kühlaggregate und Kesselanlage inkl. der zugehörigen Nebengebäude Umspannstationen und Niederspannungsumspannstation, Lagerplatz für Spezialgase,
• Reinstwassergebäude inkl. Umspannstation
• Abwasservorbehandlung inkl. zugehöriger Nebengebäude
• Logistikgebäude und Lagerhaus
• Rechenzentrum

Des Weiteren können die Infrastrukturen wie Grundleitungen zur Ver- und Entsorgung der Anlage, Errichtung der Außenanlagen wie Parkplätze, Baustraße, Feuerwehrumfahrung,

sowie die Errichtung

• des Außenzauns,
• der Löschwassertanks,
• der Regenrückhaltebecken,
• des Erdwalls zur Autobahn

und das Einbringen von wesentlichen produktionsunterstützenden Einrichtungen, wie z. B. Lüftungskanälen, Auffangvorrichtungen und Großtanks realisiert werden.

Zuvor hatte das Landesverwaltungsamt den vorzeitigen Maßnahmebeginn für das Anlegen aller erforderlichen Baugruben für die Fabrikgebäude und der Regenrückhaltebecken, die unterirdische Medienwirtschaft und die Errichtung von innerbetrieblichen Straßen im Rahmen dieses Vorhabens genehmigt.

Die nun erteilte Genehmigung umfasst demnach die Gebäude selbst, nicht jedoch die produzierenden und emittierenden Anlagen. Diese werden Gegenstand eines weiteren Genehmigungsverfahrens zum Betrieb der Anlage sein.

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